Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 80в, Pк max = 5вт, h21 = 13…50, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C

Конденсатори К53-1, К53-1 в оксидно-напівпровідникові танталові. Призначені для роботи в мережах постійного і пульсуючого струму. Виготовляються у всеклиматическом виконанні [В] і виконанні для помірного і холодного клімату [УХЛ]. Конструкція герметична.

Конденсатори К75-10 Комбіновані з металізованими обкладинками. Призначені для роботи в мережах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Конструкція: циліндрична форма в металевому корпусі. Висновки: дротяні і пелюсткові. Можуть застосовуватися замість: МБГО, К73П-2, К73-26, К75-24.

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

Конденсатор электролитический: 4700 мкФ 35В, 105 градусов, 18 х 30 мм.

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30008
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 35 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30009
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 50 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм

Датчик: оптрон, Ширина прорези: 3.1мм, Ширина диафрагмы: 1мм, 70В

TO220 (Ust=-10V; Im=1.5A)=L7910CV

Микросхема MCP602-I/SN, произв. Microchip операционный усилитель Rail to Rail

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Тиристорные оптроны состоят из арсенид-галлиевого ИК излучателя и фотоприемника - кремниевого фотодинистора, изолированных один от другого оптически прозрачной массой. Uвх < 2в, Iвх = 30ma, Uвх обр = 2в, Uпр вых = 200в, Uвых обр = 200в, Iвых = 30ma, Uизол = 1500в

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C