Терморегулятор цифровой XH-W3002. Температурный диапазон: -50 ~ 110 C. Питание:12 V. Нагрузка: до 120W

Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. Iк max = 12а, Uкэ max = 100в, Pк max = 50вт, h21 > 10, Fгр > 10кГц, T = -50+70 C

Тиристоры кремниевые диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Iос.ср. = 3,2а, Uзс п. = 750в, Uп. обр = 50в, Iу. от = 100ma, Uу. от = 3в, tвыкл = 6мкс

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C

Тумблер однополюсный предназначен для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока в радиоэлектронной аппаратуре 220В 5А

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

Регулируемый понижающий импульсный модуль питания на базе LM2596 с выходным током до 3А и интегрированным вольтметром

Понижающий DC-DC преобразователь Uin 4-40V, Uout 1.25-36V, 8A, 180KHz

Понижающий DC-DC преобразователь Uin 4-40V, Uout 1.25-36V, 8A, 180KHz с регулятором

Цифровой термометр-гигрометр HTC-1 - комбинированный прибор для измерения температуры и влажности в помещении

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 8,5ma, Uкэ max = 10в, P max = 70мвт, h21 = 15…110, Kш = 5дб, Fгр > 5,8ГГц, T = -60+125 C

Фазовый регулятор мощности (диммер) до 4 кВт. Симисторный на базе BTA41-600B. Диммеры применяются для регулировки мощности паяльников, пылесосов, сварочных аппаратов, насосов, ламп накаливания, а также для регулировки оборотов электродвигателя и др.

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора. Uвх < 2в, Iвх = 30ma, Uвх обр = 0,7в, Uвых ком = 50в, Iвых = 100ma, Uизол = 100в

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора. Uвх < 2в, Iвх = 30ma, Uвх обр = 0,7в, Uвых ком = 30в, Iвых = 200ma, Uизол = 100в

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц. Uси max = 2,5в, Uзи отс = 4в, S > 8ma/в, P max = 30мвт, Kш < 4,5дб, Kур > 3дб, Fгр =17,4ГГц, T = -60+85 C

Реле РПС-32Б РС4.520.224 герметичное, поляризованное, двухпозиционное, двустабильное, с двумя переключающими контактами, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой до 10 кГц. Uраб = 24…32в, Rобм = 425…575 Ом, Uср = 8…16в, Iком = 0,005…3а, Uком = 6…220в