Вентилятор с 2 проводами, 92x92x25 мм, 12 вольт, 0.2 ампера.

ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА - предлагается на многие радиокиты отдельно. Предполагает при этом наличие у потребителя своей элементной базы. В некоторых случаях позволяет применением разных электронных компонентов создавать электронные модули с разными параметрами.

Набор для сборки электронного устройства. Представляет собой упаковку с печатной платой, электронными компонентами, схемой.

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

MQ-5 Gas Sensor - это простой в использование датчик газа. Чувствителен к сжиженному газу (LPG), природному газу, угольному газу

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 30а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 50вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,8в, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 5вт, h21 = 30…120, Uкэ нас < 1,5в, Fгр =75мГц, T = -60+125 C

Вентилятор с 2 проводами, 120x120x25 мм, 12 вольт, 0.2 ампера.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 100вт, h21 = 12…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

4.7-5.5V; 1.2mA; 80x36,4мм; 2 строки по 16 символов 3,00x5.23мм; серый фон черные символы

Модуль приемопередатчика Bluetooth 2.1 + EDR BK8000L

Воздушно-цинковые элементы питания – обладают высокой энергоёмкостью при компактных размерах, а также поддержания постоянного напряжением в течение всего срока службы. Применяются в слуховых аппаратах.

Повышающий DC-DC преобразователь Uвх. 10~32 В. Uвых. 12~35 В регулируемое. Максимальная выходная мощность 150 Вт

Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. Iк max = 12а, Uкэ max = 100в, Pк max = 50вт, h21 > 10, Fгр > 10кГц, T = -50+70 C

Тиристоры кремниевые диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Iос.ср. = 3,2а, Uзс п. = 750в, Uп. обр = 50в, Iу. от = 100ma, Uу. от = 3в, tвыкл = 6мкс