Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 80в, Pк max = 5вт, h21 = 13…50, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Конденсатор электролитический: 47 мкФ 400В, 105 градусов, 16 х 25 мм.

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

Кислота ортофосфорная (паяльная) используется при пайке в качестве флюса (по окисленой меди, по чёрному металлу, по нержавеющей стали). Применяется также для очищения от ржавчины металлических поверхностей.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

TO-3P, 20A, 200V

TO220 (Ust=-10V; Im=1.5A)=L7910CV

Микросхема MCP602-I/SN, произв. Microchip операционный усилитель Rail to Rail

Разъем малогабаритный GX16-3 цилиндрический для соединения цепей с нагрузкой до 7 А и 250 В

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30008
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 35 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C