Цифровой вольтметр-амперметр на 100 вольт 50 ампер с шунтом в комплекте.

Планка подсветки EDGE V400, 52 светодиода 490мм

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+125 C

4.7-5.3V; 1.2mA; 62x26мм; 4 строки по 20 символов 2.95x4.75мм; желто-зеленый

Цифровой датчик температуры и влажности, Диапазон измерения влажности 0...99,9%, Диапазон измерения температуры: -40...80 С

Цифровой вольтметр-амперметр на 100 вольт 100 ампер с шунтом в комплекте.

Планка подсветки EDGE LG 42 дюйма 60 светодиодов

USB-адаптер со встроенным модулем Zigbee на чипе CC2531. Может быть подключен напрямую к ПК и использоваться для перехвата пакетов IEEE802.15.4 или в других целях

Планка подсветки EDGE V500, 68 светодиодов,623мм

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,5a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5,5вт, Fгр > 500мГц, Kур > 6,3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,25a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5вт, Fгр > 400мГц, Kур = 7дб, T = -45+85 C

Лазерный модуль измерения расстояния с датчиком VL53L0X. I2C интерфейс. Широкий диапазон измерения 0-200 см.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 10вт, Fгр > 400мГц, Kур = 4,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 20вт, Fгр > 300мГц, Kур = 5,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 3a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 25вт, Fгр > 400мГц, Kур = 3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 10a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 85вт, Fгр = 300мГц, Kур > 4дб, T = -40+85 C

Uвх - 8-60V, Uвых - 12-80V, Fпр - 150 кГц