Лазерный модуль используется для различных проектов на Arduino. Часто применяется для создания охранной сигнализации, которая срабатывает при перекрытии лазерного луча.
SF-RO/RA-34 - жидкий активированный флюс типа RA* с содержанием галогенов не более 1%, пригодный для пайки на повышенных температурах (до 360?С) и при значительных окислениях паяемых поверхностей.
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА - предлагается на многие радиокиты отдельно. Предполагает при этом наличие у потребителя своей элементной базы. В некоторых случаях позволяет применением разных электронных компонентов создавать электронные модули с разными параметрами.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 = 10…40, Fгр = 20мГц, T = -60+125 C
LM2596HVS скачать PDF
