DIP8 (650V; 1A; 30 Ohm; 8-12W)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 1,2вт, h21 = 40…120, Uкэ нас < 0,45в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C

SO8 (P; 14V; 11A; 2.5W; 0.012 Ohm)

DIP8 (650V; 67kHz; 12-20W; 19 Ohm) = FSDM311

Повышающий DC/DC преобразователь: Uвх. 2-24 В. Uвых. max 28 В. Ток max 2 А.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Панельки цанговые, ширина 0,3 дюйма (-20 PIN) (1лин.=24шт.), произв. Китай

DIP7 (85-265V; 1.9W; 66kHz; 136mA)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…100, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Транзистор полевой MOSFET N-канал 20A 600V TO-220F 0.45 Ом@VGS =10V

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)