Мост однофазный 1000V; 8A

SO8 (N+P; 2.5W; N: 30V; 7.3A; 0.029 Ohm; P: 30V; 5.3A; 0.058 Ohm)

Шесть инверторов с открытым коллектором

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 0,8а, Uкэ max = 45в, Pк max = 0,5вт, h21 = 110…220, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 200мГц, T = -40+85 C

Панельки высокой плотности штампованные, ширина 0,6 дюйма (-48 PIN) (14шт. - линейка)

Призначені для роботи в мережах постійного і пульсуючого струму. Виготовляються в кліматичному виконанні В і УХЛ. Конструкція герметична. Конденсатори стійкі до впливу зовнішніх факторів, відповідно до ОСТ в 11 0025-84 зі значеннями характеристик для групи виконання ЗУ з доповненнями і уточненнями в ОЖО.464.044 ТУ.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 1вт, h21 = 63…160, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

TO220 (N; 500V; 8A; 125W; 0,85 Ohm)

SO8 (P; -30V; -12A; 3.1W; 14 mOhm)

SO8 (+-22V; 5.5MHz; 90dB; 2.2V/mks) аналог NJM4558, BA4558... сдвоенный

TO220 (N; 55V; 49A; 94W; 0.0175 Ohm)

TO220 (N; 55V; 110A; 200W; 0,008 Ohm)

Модуль повышающий напряжение с 0,9 до 5В

DIP18 ТТЛ или 5V-КМОП входы, Uвых макс=50V, Iвых макс=0.5A