Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Модуль собран на основе микросхемы MP1584. Входное напряжение: от 4,5 до 28В. Выходное напряжение от 0,8 до 20В. Максимальный ток нагрузки: 3А. Частота переключения: 1-1,5 МГц. КПД: 96% (max), Рабочая температура: -45°C - +85°C.
Модуль часов реального времени DS1302 RTC (Real Time Clock Module) позволяет отобразить такую информацию как: часы, минуты, секунды, день, месяц, год (с учётом високосных годов) и др. Рабочее напряжение: 2.0-5.5 В. Размеры: 44x23 мм.
Модуль фотодатчика (датчик освещённости) с пороговым компаратором. Позволяет оценить уровень освещённости, а также управлять им. Порог срабатывания компаратора регулируется подстроечным резистором. В качестве датчика света используется фоторезистор.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Матричная мембранная 16-кнопочная клавиатура на самоклеящейся подложке. Применяется для: создания кодовых замков, управления различными устройствами, элементами умного дома и роботами. Разъем: 8 pin (мама), шаг 2.54 мм. Размер: 76x69x0.8 мм. Рабочая температура: от 0 до +70 °С.
NE555 скачать PDF
.jpg)
