Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 120в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 80…240, Uкэ нас < 0,3в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. Uси max = 2в, Uзи отс = 4в, S > 5ma/в, P max = 25мвт, Kш < 2дб, Kур > 4,5дб, Fгр =8ГГц, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Iк max = 2,5а, Uкэ max = 500в, Pк max = 15вт, h21 = 10…100, Uкэ нас = 5в, Fгр = 3мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 50вт, h21 = 10...60, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 51мГц, T = -40+100 C

Столбы из кремниевых, лавинных, диффузионных диодов, импульсные . Uобр имп max = 15кв, I пр. max = 0,5а, F max = 1кГц, T вос обр = 0,75мкс

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Iк max = 0,3a, Uкэ max = 26в, P max = 1,5вт, h21 = 50…250, Fгр > 1ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,5a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5,5вт, Fгр > 500мГц, Kур > 6,3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,25a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5вт, Fгр > 400мГц, Kур = 7дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 10вт, Fгр > 400мГц, Kур = 4,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 20вт, Fгр > 300мГц, Kур = 5,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 3a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 25вт, Fгр > 400мГц, Kур = 3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 10a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 85вт, Fгр = 300мГц, Kур > 4дб, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 17a, Uкэ max = 50в, Uпит = 28в, P max = 200вт, Fгр > 220мГц, Kур > 3дб, T = -40+85 C

SOP16 многоканальный приемник/передатчик RS-232 с напряжением питания 3-5.5В, с защитой от электростатического разряда ±15 кВ

Уведомить о поступлении товара

SO16 (5V) RS-232 двойной драйвер/ресивер

Уведомить о поступлении товара

DIP16 (5V) RS-232 двойной драйвер/ресивер

Уведомить о поступлении товара

DIP16 многоканальный приемник/передатчик RS-232 с напряжением питания 3-5.5В, с защитой от электростатического разряда ±15 кВ

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара

Цифровой датчик температуры DS18B20 9-12 бит интерфейс 1-WIRE, точность 0,5°С, -55 +125°C

Уведомить о поступлении товара

MAX3232 - Многоканальный приемник/передатчик RS-232 с напряжением питания 3-5.5В, с защитой от электростатического разряда ±15 кВ

Уведомить о поступлении товара