Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 100mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,4вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -40+125 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

TO220 (N; 500V; 8A; 125W; 0,85 Ohm)

TO220 (N; 55V; 49A; 94W; 0.0175 Ohm)

TO220 (N; 55V; 110A; 200W; 0,008 Ohm)

TO220 (Ust=-24V; Im=1.5A)=L7924CV

Модуль повышающий напряжение с 0,9 до 5В

DIP18 ТТЛ или 5V-КМОП входы, Uвых макс=50V, Iвых макс=0.5A

TO220F (NPN; 1500V; 5A; 25W; 0.3мкс)

TO220-5 (45Vmax; 3A; 52kHz; 1.23-37V+-4%)

Конденсатор электролитический: 33 мкФ 25В, 105 градусов, 16 х 20 мм.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Панельки цанговые, ширина 0,6 дюйма (-24 PIN) (1лин.=20шт.), произв. Китай

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 420в, Uобр имп max = 600в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 9a, F max = 1,2кГц

TO220F (NPN; 800V; 6A; 30W; 0.3uS)

Терморезисторы ММТ-1 негерметизированные, незащищенные, неизолированные. Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%

Терморезисторы ММТ-1 негерметизированные, незащищенные, неизолированные. Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%

TO220F (N; 600V; 11A; 50W; 0.65 Ohm)

Широкополосный динамик с открытой магнитной системой и металлической корзиной. Диаметр: 50мм, высота 20mm. Сопротивление: 8 Ом. Шумовая мощность: 1Вт. Частотный диапазон: 300-8000 Гц

Оптопары транзисторные с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально планарного транзисторного фотоприемника. Uвх < 1,8в, Iвх = 10ma, Uвх обр = 0,4в, Uвых ком = 5в, Iвых = 20ma

Транзистор полевой MOSFET P-канал 20V 6.7A

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Терморезисторы ММТ-1 негерметизированные, незащищенные, неизолированные. Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%