Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные. Iк max = 5а, Uкэ max = 1500в, Pк т max = 12,5вт, Uкэ нас < 1в, Fгр > 2мГц, T = -25+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C
Бинокуляры позволяют получить два варианта увеличения: 2,2х при использовании одной линзы, и 3,3х при использовании двух. Легко фиксируются на голове за счёт регулировки размера. Широко применяются при пайке, сборке миниатюрных деталей, чтении и др.
Плата расширения NANO CNC Shield v4 предназначена для создания на основе контроллера Arduino NANO 3D принтеров, станков с числовым программным управлением, в том числе гравировальных, фрезерных, маркировальных, станков портальной резки, промышленных роботов
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
ESP8266EX скачать PDF
