Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C

Диоды лавинные, мезадиффузионные, кремниевые. Uобр имп max = 500в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 100a, F max = 1кГц

Диоды лавинные, мезадиффузионные, кремниевые. Uобр имп max = 400в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 1кГц

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 20ma, Uкэ max = 10в, P max = 100мвт, h21 = 20…240, Kш = 4дб, Fгр > 3ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Iк max = 10ma, Uкэ max = 15в, P max = 50мвт, h21 > 10, Kш = 3,5дб, Fгр > 2,4ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10а, Uкэ max = 500в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 10мГц, T = -40+100 C

Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, выпрямительные. Uобр max = 200в, I пр. max = 10а, F max = 200кГц, T вос обр = 0,05мкс

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 400в, Pк т max = 60вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Понижающий преобразователь, регулируемый. Uвх. 8-36V, Uвых. 1,25-32V, 5 А max с радиатором для микросхемы в комплекте

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 5а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 40вт, h21 > 20, Uкэ нас < 1в, Fгр > 15мГц, T = -40+100 C

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр имп max = 400в, I пр. max = 10а при T=+75С, I пр. max = 5а при T=+120С, F max = 1,1кГц

Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Iк max = 3a, Uкэ max = 800в, Uкэ нас < 1,5в, Pк. т. max = 40вт, h21 > 10, Fгр > 10мГц, T = -55+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 70вт, h21 = 20…125, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 8мГц, T = -60+125 C

Цифровой термометр со щупом ТР101 широко применяется в лабораториях, при приготовлении пищи, для измерения температуры воды или воздуха и т.п. Термометр поставляется в прозрачном тубусе диаметром 24 мм и длиной 24,5 см. Длина щупа 150 мм. Диапазон измерения температуры: от -50 до +300 °С. Питание осуществляется от одного элемента LR44 (входит в комплект).

Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, выпрямительные. Uобр max = 200в, I пр. max = 10а, F max = 200кГц, T вос обр = 0,035мкс

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр имп max = 400в, I пр. max = 10а при T=+120С, F max = 1,1кГц

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,4a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, Pк ср max max = 2,5вт, Fгр > 350мГц, Kур > 2,5дб, T = -40+85 C

Диоды кремниевые, эпитаксиально-диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 200в, I пр. max = 20а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц, T вос обр = 200нс