Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 1вт, h21 = 40…100, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

Уведомить о поступлении товара

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 70в, Uобр имп max = 100в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 9a, F max = 1,2кГц

Уведомить о поступлении товара

Maximum Peak Reverse Voltage=12000V, Maximum Average Forward Output Current @TA= 60°C = 350mA, Maximum DC Forward Voltage drop per element = 12V.

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85

Уведомить о поступлении товара

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 100в, I пр. max = 1а, I пр. имп max = 50a, F max = 100кГц

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

TO247F (1500V;8A;34W;0.7mkS;diod)

Уведомить о поступлении товара

TO3PF (NPN; 1500V; 5A; 60W)

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 80в, Pк max = 5вт, h21 = 13…50, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…100, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Уведомить о поступлении товара

Тиристор низкочастотный. Iср max = 10а, Udrm = 400в, Iотп = 25ma, Uотп = 2,5в

Уведомить о поступлении товара

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 100в, Uпр = 1,2в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

Уведомить о поступлении товара

НЕТ В НАЛИЧИИ
Код товара:	25014-12
Производитель:	HONGFA
Документация:	JZC32F (HF32F) 012-HS3 (555) 12VDC 5A/250VAC/30VDC скачать PDF

Уведомить о поступлении товара

Повышающий DC/DC преобразователь с разъемом microUSB: Uвх. 2-24 В. Uвых. max 28 В. Ток max 2 А.

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Uобр max = 800в, I пр. max = 1а, F max = 100кГц

Уведомить о поступлении товара

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 200в, Uпр = 1,2в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

Уведомить о поступлении товара