Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…100, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Тиристор низкочастотный. Iср max = 10а, Udrm = 400в, Iотп = 25ma, Uотп = 2,5в

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 100в, Uпр = 1,2в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30008
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 35 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм

Повышающий DC/DC преобразователь с разъемом microUSB: Uвх. 2-24 В. Uвых. max 28 В. Ток max 2 А.

TO3P 40A 800V Igt=50/100mA)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30009
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 50 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 200в, Uпр = 1,2в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

Повышающий преобразователь напряжения 2-28V, 2A импульсный регулируемый

TO220 (Ust=-10V; Im=1.5A)=L7910CV