Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Повышающий преобразователь напряжения 2-28V, 2A импульсный регулируемый

TO220F (N; 600V; 10A; 52W; 0.75 Ohm)

Датчик: оптрон, Ширина прорези: 3.1мм, Ширина диафрагмы: 1мм, 70В

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Микросхема MCP602-I/SN, произв. Microchip операционный усилитель Rail to Rail

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

TO220 (N; 60V; 15A; 40W; 0.1 Ohm)

Безотмывочный высокоактивный паяльный флюс SF-RO/NC-4.6 с низким содержанием твердых веществ (менее 5%) разработан для обеспечения превосходного результата пайки и обеспечения низкого уровня дефектов

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора. Uвх < 1,6в, Iвх = 15ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 30в, Iвых = 70ma, Uизол = 500в

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Сетевая розетка со штыревыми контактами и держателем предохранителя 5x20 (предохранитель в комплект не входит)

ГОСТ 19783-74 Обеспечивает эффективный тепловой контакт между двумя соприкасающимися поверхностями. Теплопроводность >= 0.65 W/Mk при 100С. Рабочая температура -60/+180С. Гарантийный срок хранения 1,5 года.