TO220F (NPN; 1500V; 5A; 25W; 0.3мкс)

TO220-5 (45Vmax; 3A; 52kHz; 1.23-37V+-4%)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 80в, Pк max = 6,5вт, h21 = 15…45, Uкэ нас < 1в, Fгр > 45мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк max = 5вт, h21 = 30…150, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Iк max = 50ma, Uкэ max = 25в, Pк max = 170мвт, h21 > 15, Kш = 6дб, Fгр > 800мГц, T = -45+85 C

TO220F (NPN; 800V; 6A; 30W; 0.3uS)

4 контакта, 2 группы ON-OFF

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 1,2вт, h21 = 40…120, Uкэ нас < 0,45в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C

SO8 (P; 14V; 11A; 2.5W; 0.012 Ohm)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

DIP7 (85-265V; 1.9W; 66kHz; 136mA)

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30008
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 35 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм