DIP8 (2-36V; 0.8mA; 1400ns; Gv=200V/mV; TTL; DTL; CMOS) сдвоенный

Датчик вибрации и наклона

SOIC14 (30/+-15V; 375mkA; 1.3MHz; 100dB) счетверенный

Шесть логических элементов «НЕ» с открытым стоком

Четыре логических элемента 2ИЛИ

TO220 (Ust=5V; Im=1.5A)=L7805CV

TO220 (Ust=8V; Im=1.5A)

DIP8 (2-36V; 0.8mA; 1400ns; Gv=200V/mV; TTL; DTL; CMOS) сдвоенный

Понижающий преобразователь напряжения с малым падением: Вход: 4,6-12V Выход 3,3 В 800 мА

SO8 (N+P; 2.5W; N: 30V; 7.3A; 0.029 Ohm; P: 30V; 5.3A; 0.058 Ohm)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 0,8а, Uкэ max = 45в, Pк max = 0,5вт, h21 = 110…220, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 200мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 1вт, h21 = 63…160, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

SO8 (+-22V; 5.5MHz; 90dB; 2.2V/mks) аналог NJM4558, BA4558... сдвоенный

TO220-5 (45Vmax; 3A; 52kHz; 1.23-37V+-4%)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 80в, Pк max = 6,5вт, h21 = 15…45, Uкэ нас < 1в, Fгр > 45мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Iк max = 50ma, Uкэ max = 25в, Pк max = 170мвт, h21 > 15, Kш = 6дб, Fгр > 800мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 1вт, h21 = 40…100, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C