Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 45в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 40в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 80в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц

SF-RO/RMA-31 – это безотмывочный высокоактивный содержащий канифоль флюс на основе изопропанола с средним содержанием твёрдых частиц.

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 60в, Pк т max = 50вт, h21 > 1000, Fгр > 7мГц

Флюс паяльный SF-OR/LF-3.5 был специально разработан для пайки с применением любых типов олово-свинцовых припоев, а так же припоев не содержащих свинец.

Модуль усилителя на микросхеме PAM8403 с регулятором громкости, D-класс, 2х3 Ватта, низкое потребление

Реле герметичное, двухпозиционное, одностабильное, с одним переключающим контактом реле постоянного тока предназначено для коммутации электрических цепей постоянного тока. Uраб = 22…36в, Rобм = 1520…2185 Ом, Iср = 8ma, Iотп = 1,6ma, Iком = 0,001…1а

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

SF-RO/RA-34 - жидкий активированный флюс типа RA* с содержанием галогенов не более 1%, пригодный для пайки на повышенных температурах (до 360?С) и при значительных окислениях паяемых поверхностей.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 30в, Pк max = 10вт, h21 > 20, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 10вт, h21 = 20…60, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 12вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 70в, Pк max = 10вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 24вт, h21 = 15…40, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C