DIP18 ТТЛ или 5V-КМОП входы, Uвых макс=50V, Iвых макс=0.5A

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 420в, Uобр имп max = 600в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 9a, F max = 1,2кГц

Оптопары транзисторные с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально планарного транзисторного фотоприемника. Uвх < 1,8в, Iвх = 10ma, Uвх обр = 0,4в, Uвых ком = 5в, Iвых = 20ma

TO220 (N; 200V; 9A; 75W; 0.4 Ohm)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 1,2вт, h21 = 40…120, Uкэ нас < 0,45в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C

DIP8 (650V; 67kHz; 12-20W; 19 Ohm) = FSDM311

Повышающий DC/DC преобразователь: Uвх. 2-24 В. Uвых. max 28 В. Ток max 2 А.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Реле герметичное, двухпозиционное, одностабильное, с одним переключающим контактом, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока. Uраб = 27в, Rобм = 1520...2185 Ом,Iср = 8,4ma, Iотп = 1,2ma, IкОм = 0,001…1а, Uком = 6…150 в

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

TO220 (Ust=5V; Im=1.5A)

TO220 (Ust=12V; Im=1.5A)

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 200в, Uпр = 1,2в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

TO220 (Ust=-10V; Im=1.5A)=L7910CV