Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 0,8а, Uкэ max = 45в, Pк max = 0,5вт, h21 = 110…220, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 200мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 100mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,4вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -40+125 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 1вт, h21 = 63…160, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 80в, Pк max = 6,5вт, h21 = 15…45, Uкэ нас < 1в, Fгр > 45мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк max = 5вт, h21 = 30…150, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Iк max = 50ma, Uкэ max = 25в, Pк max = 170мвт, h21 > 15, Kш = 6дб, Fгр > 800мГц, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 300в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 250в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 1вт, h21 = 40…100, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 30mа, Uкэ max = 100в, Uэб 0 max = 2в, Pк т max = 0,25вт, h21 > 16, Fгр > 40мГц, T = -10+85 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 1,2вт, h21 = 40…120, Uкэ нас < 0,45в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 80в, Pк max = 5вт, h21 = 13…50, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…100, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 45в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 40в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
Кремниевые СВЧ р-п-р транзисторные пары средней мощности с отношением статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером более 0,9 и модулем передачи тока на частоте 100МГц более 6
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 = 10…40, Fгр = 20мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 20ma, Uкэ max = 10в, P max = 100мвт, h21 = 20…240, Kш = 4дб, Fгр > 3ГГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Iк max = 10ma, Uкэ max = 15в, P max = 50мвт, h21 > 10, Kш = 3,5дб, Fгр > 2,4ГГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10а, Uкэ max = 500в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 10мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 400в, Pк т max = 60вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,4a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, Pк ср max max = 2,5вт, Fгр > 350мГц, Kур > 2,5дб, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 5а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 40вт, h21 > 20, Uкэ нас < 1в, Fгр > 15мГц, T = -40+100 C
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Iк max = 3a, Uкэ max = 800в, Uкэ нас < 1,5в, Pк. т. max = 40вт, h21 > 10, Fгр > 10мГц, T = -55+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 70вт, h21 = 20…125, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 8мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 > 40, Kш = 2дб, Fгр > 1,8ГГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Iс max = 4а, Uси max = 70в, P max = 20вт, Рвых >6,7вт, S = 60…170ma/в, Iс нач < 200ma, Kур >7дб, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа. P max = 40вт, Uси max = 300в, Iс max = 10а, Rси отк < 0,1Ом, tвкл < 0,1мкс, tвыкл < 2,5мкс, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 30а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 50вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,8в, T = -60+70 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 5вт, h21 = 30…120, Uкэ нас < 1,5в, Fгр =75мГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 600в, Pк max = 0,8вт, h21 > 30, Uкэ нас = 0,6в, Fгр = 10мГц, T = -45+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные. Iк max = 5а, Uкэ max = 1500в, Pк т max = 12,5вт, Uкэ нас < 1в, Fгр > 2мГц, T = -25+100 C
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 100вт, h21 = 12…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 60ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 160…400, Fгр = 1ГГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 30ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 80…300, Fгр = 1,5ГГц, T = -60+125 C
Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. Iк max = 12а, Uкэ max = 100в, Pк max = 50вт, h21 > 10, Fгр > 10кГц, T = -50+70 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 = 35…300, Kш = 3дб, Fгр > 4ГГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 8,5ma, Uкэ max = 10в, P max = 70мвт, h21 = 15…110, Kш = 5дб, Fгр > 5,8ГГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц. Uси max = 2,5в, Uзи отс = 4в, S > 8ma/в, P max = 30мвт, Kш < 4,5дб, Kур > 3дб, Fгр =17,4ГГц, T = -60+85 C
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 120в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 80…240, Uкэ нас < 0,3в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. Uси max = 2в, Uзи отс = 4в, S > 5ma/в, P max = 25мвт, Kш < 2дб, Kур > 4,5дб, Fгр =8ГГц, T = -60+70 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Iк max = 2,5а, Uкэ max = 500в, Pк max = 15вт, h21 = 10…100, Uкэ нас = 5в, Fгр = 3мГц, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 50вт, h21 = 10...60, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 51мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Iк max = 0,3a, Uкэ max = 26в, P max = 1,5вт, h21 = 50…250, Fгр > 1ГГц, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+125 C
Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,5a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5,5вт, Fгр > 500мГц, Kур > 6,3дб, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,25a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5вт, Fгр > 400мГц, Kур = 7дб, T = -45+85 C
Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 20вт, Fгр > 300мГц, Kур = 5,5дб, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 10вт, Fгр > 400мГц, Kур = 4,5дб, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 3a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 25вт, Fгр > 400мГц, Kур = 3дб, T = -45+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 10a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 85вт, Fгр = 300мГц, Kур > 4дб, T = -40+85 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 17a, Uкэ max = 50в, Uпит = 28в, P max = 200вт, Fгр > 220мГц, Kур > 3дб, T = -40+85 C
