Три логических элемента «3 И»

TO220 (N; 500V; 2.5A; 50W; 3 Ohm)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 0,8а, Uкэ max = 45в, Pк max = 0,5вт, h21 = 110…220, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 200мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Iк max = 3a, Uкэ max = 800в, Uкэ нас < 1,5в, Pк. т. max = 40вт, h21 > 10, Fгр > 10мГц, T = -55+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 60ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 160…400, Fгр = 1ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C

TO220 (NPN, 700V, 8A, 80W, 4MHz)

SOT23 (2.5-36V;1-100mA)

TO92 (2.5-36V;1-100mA)