^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 28 березня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  ...  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  ...   26  след >>  |  показать все
КТ644В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08198

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 21 10
грн.
от 67 шт. 19 35
грн.
от 133 шт. 17 60
грн.
Описание
КТ639Д
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08207

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 21 10
грн.
от 67 шт. 19 35
грн.
от 133 шт. 17 60
грн.
Описание
КТ972А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08144

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

от 1 шт. 21 10
грн.
от 50 шт. 19 35
грн.
от 100 шт. 17 60
грн.
Описание
КТ644Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08278
от 1 шт. 21 10
грн.
от 50 шт. 19 35
грн.
от 100 шт. 17 60
грн.
Описание
кт835а
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41088
от 1 шт. 21 10
грн.
от 128 шт. 19 35
грн.
от 257 шт. 17 60
грн.
Описание
кт835б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41089
от 1 шт. 21 10
грн.
от 128 шт. 19 35
грн.
от 257 шт. 17 60
грн.
Описание
IRF7303 транзистор полевой
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40023

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

от 1 шт. 21 60
грн.
от 25 шт. 19 45
грн.
от 50 шт. 17 30
грн.
Описание
IRF7313 транзистор полевой IR сдвоенный N-канал
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40090

Сдвоенный MOSFET транзистор N+N

от 1 шт. 22 00
грн.
от 10 шт. 20 20
грн.
от 20 шт. 18 40
грн.
Описание
МП37
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08112
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
МП38
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08113
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
МП42А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08117
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
МП36А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41058
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
МП37Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41059
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
МП40
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41060
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
МП40А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08115
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
МП41А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08116
от 1 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 20 60
грн.
от 100 шт. 18 70
грн.
Описание
КТ837Ф
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08248

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 23 20
грн.
от 50 шт. 21 25
грн.
от 100 шт. 19 30
грн.
Описание
FQPF10N60C TO-220F транзистор полевой 600V 9.5A ПЛАСТИК
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40056

TO220F (N; 600V; 10A; 52W; 0.75 Ohm)

от 1 шт. 23 40
грн.
от 25 шт. 20 70
грн.
от 50 шт. 18 00
грн.
Описание
КТ829Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08130

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 45в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

от 1 шт. 24 60
грн.
от 10 шт. 22 55
грн.
от 20 шт. 20 50
грн.
Описание
КТ837Н
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08140

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 24 60
грн.
от 50 шт. 22 55
грн.
от 100 шт. 20 50
грн.
Описание
КТ837К
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08139

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 24 60
грн.
от 50 шт. 22 55
грн.
от 100 шт. 20 50
грн.
Описание
КТ837Е
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08136

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 24 60
грн.
от 50 шт. 22 55
грн.
от 100 шт. 20 50
грн.
Описание
КТ837В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08134

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 24 60
грн.
от 50 шт. 22 55
грн.
от 100 шт. 20 50
грн.
Описание
КТ837Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08133

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 24 60
грн.
от 50 шт. 22 55
грн.
от 100 шт. 20 50
грн.
Описание
КТ837А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08132

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 24 60
грн.
от 50 шт. 22 55
грн.
от 100 шт. 20 50
грн.
Описание
<< пред  1  ...  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  ...   26  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2023 3V3.COM.UA | тел. +38 068 4199109 | Google index